Светодиодный датчик апогея

a_centaurus> ...Хотя изготовитель рекомендует использовать питание не ниже 6 V, решил испытать эту, с напряжением 3.7 V (4.2 В после зарядки). Оказалось, что этого вполне достаточно...

Датчика (конструктор pinko) е изграден с елементи позволяващи работа до минимум 3,5V, но не с максимален ток на ключовия транзистор. Но при 3,5V максималния ток на ключовия транзистор е достатъчен за нормална работа на фотодатчика. Графика на зависимостта напрежение-ток:

Брат-2> [i]Фактически к возникновению конечного (ненулевого) тока затвора приводит ряд механизмов. Даже у МОП - транзисторов изоляция затвора (двуокись кремния) несовершенна, что приводит к токам утечки, находящимся в пикоамперном диапазоне.
Это Хоровиц-Хилл, Т.1 "Искусство Схемотехники". Всё здесь правильно написано.

Однако ЖЕ... Практически вся полезная работа ТВОЕЙ трёхтранзисторной схемы как фотодатчика апогея происходит как раз в отсутствие тока стока при НАГЛУХО запертом затворе JFET'a. Т.е. как раз в условиях, которые и описываются именно в ДШ, а отнюдь не в ХоХи. ХоХи пишут про АКТИВНЫЙ режим работы JFET'a, и спорить с их замечаниями глупо. Но мы-то обсуждаем не JFET вообще, не какой-то абстрактный усилительный какскад на его основе, но работу JFET'a в составе ТВОЕЙ, сугубо релейно-ключевой схемы с НУЛЕВЫМ током потребления в дежурном, а точнее - в самом что ни на есть РАБОЧЕМ режиме.

Есть, конечно, ещё моменты - температура и напряжение С-И. Но коль скоро схема твоя работает и в жару, и при 60 В С-И... Не знаю... Значит, не настолько уж и возрастает ток утечки затвора, не так ли? Что было бы с сигналом антипары, если бы согласно Андрею Суворову, ток утечки затвора в силу совокупности каких-то факторов возрос бы до МИКРОамперных значений? Полезный сигнал светодиодной антипары просто обратился бы в практический ноль - в те десятки милливольт, которые регистрируются тестером со входным сопротивлением порядка 10 МОМ. Смогли бы эти десятки милливольт запереть JFET в стартовом положении ракеты, когда для такой работы их нужны сотни и тысячи? А если нет, то о чём тогда разговор?

***
Моё краткое резюме - как Я вижу настоящую ситуацию.

Время идёт, и несмотря на все замечательные качества трёхтомника приведённых тобой авторов (моё сугубое к ним уважение), оно вносит свои коррективы даже в такие фундаментальные главы и разделы, как основные свойства полевиков. Сейчас, например, очень трудно найти ПРАКТИЧЕСКИ продаваемые полевики с пикоамперными токами утечки затвора - они просто вымерли, выбитые ESD. На их место пришли защищённые зенером "З-И" МОП-транзисторы, практически неподверженные губительному воздействию электростатики. Но за всё приходится платить, и в данном случае расплата выглядит как возросший на три-пять порядков ток утечки МОП-затвора: типовые 100 НАНОампер - ПРИ ЛЮБЫХ электрических условиях (т.е. меньше быть не может ни при каких комбинациях - только больше). Иногда - 10 нА (изредка). Меньше десяти - вообще не встречал.

А вот затвор JFET-a ПРИ НУЛЕВОМ СМЕЩЕНИИ действительно ничего особо выдающегося в плане малости утечки из себя не представляет, а стало быть и не нуждается в каких-то искусственных способах защиты от статики - она в нём просто не держится! Но если затвор JFET'a запереть отрицательным перепадом, вот тогда он и показывает свои фемто-пикоамперы! А статика в этом случае совсем не так страшна ему, поскольку транзистор уже включен в схему, и нет висящих в воздухе выводов-"громоотводов"...

-VMK-> Датчика (конструктор pinko) е изграден с елементи позволяващи работа до минимум 3,5V

Понято, Веселин. Спасибо за подтверждение. На самом деле такая батарея дает возможность устанавливать HEAD в ракеты небольших калибров без занимания лишнего обьёма и длинных каблей.

Приветствую всех. Уже два раза делал фотодатчик - ни разу не заработал. Возможно, я ошибался в схеме, так что у меня есть просьба и несколько вопросов..
1) Нарисуйте, пожалуйста, схему и разводку фотодатчика для сквозного монтажа, в габарите примерно 25х50 мм, так как у меня нет навыков и микропаяльника для работы с SMD, да и вообще я почти профан в электронике.
2) У меня имеется операционник CA3140EZ и тиристор ВТ152Х, нормально ли они подойдут?
3) Можно ли выносить светодиоды на проводах? И пригодны ли для этой цели провода 0,1 мм во фторопластовой изоляции?
4) Адекватно ли ведет себя датчик зимой, не нужен ли другой нижний светодиод для пары?

Muller> Приветствую всех. Уже два раза делал фотодатчик - ни разу не заработал.

По какой схеме делал? Как именно проверял?

Схема и рекомендации здесь:

....
Non-conformist> Моё краткое резюме - как Я вижу настоящую ситуацию.
...
Право каждого иметь свою точку зрения, вот только навязывать ее другим есть право не у всех!

Жаль, но всё как обычно: когда нечего возразить по существу, ты, по своему обыкновению, начинаешь какую-то мутную, никчемную игру словами и смыслами. Причём с явным благородным намерением указать оппоненту на его место...

Если у тебя в конце концов сформируется хоть какая-то мало-мальски электротехнически логичная точка зрения по этому вопросу - поделись, не навязывая, а я почитаю. Буду рад, если мои рассуждения выше хоть чем-то тебе помогут.

Muller> два раза делал фотодатчик - ни разу не заработал.
По какой схеме - по "стандартной на ОУ"?

Мuller, схема "дубовая", всегда работает. Надо искать ошибки в монтаже.
Сначала можно просто спаять схему на столе без платы и убедиться, что работает - а потом сотворять плату.
Есть ли у тебя тестер ?
Для начала надо проверить полярность светодиодов: поочередная освещенность дает напряжение разной полярности.

5 см проводов никак не повлияют.

Muller> операционник CA3140EZ
Теоретически его можно угробить статическим зарядом, особенно зимой на сухом воздухе.
Несмотря на защитные диоды, вследствие малой площади переходов.
Рекомендуется вставлять его в панельку, уже после выполнения остального монтажа.

Non-conformist> Если у тебя в конце концов сформируется хоть какая-то мало-мальски электротехнически логичная точка зрения по этому вопросу - поделись, не навязывая, а я почитаю. Буду рад, если мои рассуждения выше хоть чем-то тебе помогут.

Тебе, конечно спасибо! Твои рассуждения заставили меня пересмотреть весь имеющийся материал по полевым транзисторам. От себя могу только добавить, что транзисторная схема может работать с любым типом транзистора.

Брат-2> транзисторная схема может работать с любым типом транзистора.
Для изолированных затворов полезно указать, где встроенный канал, а где индуцированный.
Тогда станет понятным принципиальное различие в характеристиках.

Ckona> Для изолированных затворов полезно указать, где встроенный канал, а где индуцированный.
Ckona> Тогда станет понятным принципиальное различие в характеристиках.

Радиостанция на лампах или транзисторах? Повторяю, радиостанция на бронепоезде!
Действительно, несмотря на то, что все типы транзисторов могут работать в датчике апогея, есть и некоторые нюансы. Во-первых, входное сопротивление МДП-транзисторов может достигать 10…10 Ом, а у полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом 10⁷…10⁹, поэтому, теоретически МДП транзисторы могут обеспечить большую чувствительность датчика. Во-вторых, транзисторы с управляющим р-n (1) и МДП со встроенным каналом (2) имеют начальный ток стока, то есть при недостаточной освещенности светодиодов схема выдаст сигнал выброса парашюта, что может являться системой безопасности. МДП с индуцированным каналом (3) начального тока стока не имеют, поэтому выброс парашюта произойдет только при освещении нижнего светодиода, что несколько удобнее в эксплуатации. Критерием выбора транзистора является напряжение отсечки, которое не должно быть больше 1,5В. Применяемые мной МДП SMD 702 с индуцированным каналом выбран по принципу, что подходящее попалось под руки.

Брат-2> входное сопротивление МДП-транзисторов может достигать 10…10 Ом,
Для МДП входное сопротивление 10 в десятой...10 в четырнадцатой степени.

Ckona> Для изолированных затворов полезно указать, где встроенный канал, а где индуцированный.
В переводной литературе (ХоХи) это дело дифференцируется как "с обогащением канала" и "с обеднением канала". "С обеднением" - это когда при нулевом напряжении ЗИ имеет место некоторый начальный ток стока, как у JFET'a. JFET бывают только обеднённого типа, потому что иначе затвор у них превращается в обычный лиод, а MOSFET - и обогащённого (обычно) и обеднённого (изредка). Я приводил выше несколько мосфетов обеднённого типа, которые продаёт ИМРАД.

* * *
Спор насчёт величины утечки JFET'а может разрешить эксперимент. Нужно взять магазин высокоомных резисторов, подключить через него батарейку ко входу истокового повторителя (ХоХи, Т.1, стр. 142 .. 143), и подбором величины последовательного сопротивления добиться того, чтобы тестер, подключенный к выходу повторителя, показал половину напряжения батарейки. В этом случае величина последовательно включенного резистора будет равна входному сопротивлению истокового повторителя, т.е. входному сопротивлению собственно JFET'a. Имея на руках входное сопротивление, легко оценить ток утечки JFET'а.

Non-conformist> В переводной литературе (ХоХи) ...JFET'a. JFET ...а MOSFET ...
Non-conformist> Спор насчёт величины утечки JFET'а может разрешить эксперимент. ..

Non-conformist! Если тебе не сложно называй вещи терминами общепринятыми на пространстве СНГ! Нам людям в старости сложно перестраиваться, да и Украина еще не в ЕС!
Что такое ХоХи? Может, выложишь в файлообменник или ссылочку подкинешь, уж больно интересная литература, ведь предложение по измерению входных токов утечек в соответствие с ней банальная авантюра. Во-первых, где ты видел сопротивления подобной величины? Вот я один раз держал в руках 100 мОм, а набрать магазин, да еще больших значений, однозначно - авантюра. Во-вторых, Было наплетено не о том, извини . Да и о чем спорить. Затвор с р-n-переходом – это диод смещенный в обратном направлении, а затвор МДП – изоляция!

Предпочитаю называть вещи именами, принятыми в пространстве ХоХи, т.е. в пространстве трёхтомника "Искусство схемотехники" Пола Хоровица и Уинфилда Хилла. Ибо за тридцать лет транзисторно-полупроводниковой советской власти местные мудрецы так и не удосужились написать ничего хоть отдалённо напоминающего этот учебник. И потому нет у меня никакого энтузиазма к вашему пространству. Что было то было, не отрицаю... Но и не скучаю - вы уж не обессудьте.

Насчёт высокоомного магазина - у меня на работе есть "Имитатор электродной системы рН-метров", представляющий собой нормальный ртутный элемент с декадным делителем, на выходе которого стоят несколько последовательных резисторов, общим сопротивлением несколько ГОм. Точнее таких имитаторов у меня даже два. Один из них вышел из строя, и подозрение пало именно на гигаомные балластники на выходе, ибо всё остальное работает вполне нормально.

Я это к тому, что я искал им замену через инет, и точно помню, что нашёл, причём совсем недорого. Но где - не помню, потому что руководство платить отказалось, и всё это дело благополучно похерилось и забылось. Если есть интерес, можно освежить. Насколько мне помнится, гигаомники были именно в СМД, и совсем недорого, на уровне прецизионных резисторов.

Брат-2> Да и о чем спорить. Затвор с р-n-переходом – это диод смещенный в обратном направлении, а затвор МДП – изоляция!
Во бл... СТАБИЛИТРОН там стоит с затвора на исток, ты буквы печатные читать умеешь? Уже и картинку приводил для особо одарённых...

Виноват, достало.

Non-conformist> Предпочитаю называть вещи именами, принятыми в пространстве ХоХи

У ХоХи не было мосфетов и жифетов!!!
Ну и каналы у полевиков были "встроенные" и "индуцированные".

Наверное, Брат-2 тебе про это хочет сказать.

0,1 ГОм есть здесь: ООО НПП "Интегральные микросистемы"
Вкладка "Резисторы прецизионные": КВМ-0,125W Г10+-2% 3,75 грн.
Только непонятно - за штуку или за сотню. Если за штуку, то и впрямь дороговато, если, например, десять гигов набирать. Плюс изоляторы, работа. А на выходе? Всё равно ведь ничего не докажешь - скажет, внешние утечки. Да и ну его в пень; сам себе доказывай, что хочешь.

Xan> Наверное, Брат-2 тебе про это хочет сказать.
О, здравствуй, мил человек! Картинку привесть? Ну поверь ты на слово! Скажи - "ВЕРЮ, извини, ошибся!"...

Non-conformist> Насчёт высокоомного магазина

Вообще-то, утечки действительно мало текущих схем меряют с помощью конденсатора.
Заряжают, а потом смотрят, как напруга изменяется.
Ну и арифмометром, арифмометром!!!

Non-conformist> О, здравствуй, мил человек! Картинку привесть? Ну поверь ты на слово! Скажи - "ВЕРЮ, извини, ошибся!"...

Ухожу, Марьванна, ухожу, ухожу!!!

Почему-то мне показалось, что авторы советские.

Тьфу ты... Действительно мофетов и джейфетов нет в переводе... Хорошо хоть обогащённые-обеднённые есть, а то уж подумал, что совсем плох стал. ))

Xan> Вообще-то, утечки действительно мало текущих схем меряют с помощью конденсатора.
О, а вот это мысл... Надо будет попробовать к примеру десять нанов зарядить, и посмотреть, где быстрее разрядится. Чтоб без арифмометра. ))