m.0.> Не приведены параметры времени переключения транзисторов, но ладно.
Есть ёмкости, заряды, и косвенный признак (измерение на частоте 1МГц). Навскидку, для преобразовательной техники и коммутации нормально (дальше уже ограничения по ферритам и конденсаторам начнутся)
Конечно нужна полноценная документация, но на той вкладке пока пусто
m.0.> Кстати, ВЗПП (и др. вокруг него) в целом котируются не ниже НИИЭТ. Впрочем, это пмсм.
Я в принципе удивился что уже есть силовые GaN
В других местах попадалась информация о разработке 650В ключей и меньшем сопротивление Rdson для низковольтных:
Разработка GаN-транзисторов компанией АО «НИИЭТ» Но видимо, пока так.