Попытка анализа управления силовой частью схемы.
Обнаружено что-то типа бага, хотя, как можно понять из описания схемы, автор сознательно пошел на это. Сэкономил два резистора.
Итак. Допустим, на выходе DD1.5 имеется высокий уровень. Управляющий транзистор VT1 открывается, притягивает к земле базы силовых транзисторов VT3, VT6 - по п-н переходу Э-Б этих транзисторов начинает течь ток - транзисторы открываются. И вот тут начинается самое интересное: как их ЗАКРЫТЬ? Чтобы их закрыть, на их базах должен быть потенциал не ниже, чем на эмиттерах. А откуда его взять, если эти самые базы НИ С ЧЕМ, кроме как между собой и с голым коллектором VT1 не соединены?
Вопрос: откуда берется запирающий VT3 и VT6 потенциал на их базах, при закрытии VT1?
Имхо базы эти просто остаются подвешенными в воздухе, будучи отсечены от земли высоким сопротивлением закрытого VT1, и не притянуты к питанию.
А в описании схемы любопытно вот это место: "В последнем случае [при замене транзисторов на германиевые] между эмиттерами и базами транзисторов VT3-VT6 следует включить резисторы сопротивлением 1..10 кОм, чтобы предотвратить их случайное открывание вследствие значительного обратного тока".
Имхо эти резисторы В ЛЮБОМ случае следует поставить. А то не по Хоровицу-Хиллу как-то получается...
Ваше мнение?