Испытательный пуск “Булавы”, снова оказался неудачным.

Серокой> Кроме того, схемотехнические ухищрения для повышения стабильности - это для радхарда в основном.
А вот это чуть развернуть можно?

Eretik>>> Ты же и обещал. Во всяком случае намекал, смотри самое начало абзаца.
Kuznets>> не вижу, выдели там слово "список".
Eretik> Не юли. Можешь обойтись без списка, просто перечисли "военные" компоненты.

Опять тупишь. Я тебе ЧЕТКО сказал - все что прошло военную приемку то и подходит. Тебе нужен список - ищи. Условий прохождения военной приемки ты очевидно не только не знаешь но даже не хочешь понимать.

Eretik> Kuznets>>> Kuznets>> предложи лучше.
Eretik> Eretik>> Eretik>> AMD, Intel, TI, ST Micro, Atmel. ВСЕ лучше.
Eretik> Kuznets>>> конкретнее. процессор в военном исполнении, с открытой архитектурой, с полной техдокументацией, доступный для заказа в тысячах штук - ну?....
Eretik> Eretik>> Повторяю: AMD, Intel, TI, ST Micro, Atmel
Kuznets>> не тупи.
Eretik> (насмешливо) Повторяю для особо одаренных: AMD, Intel, TI, ST Micro, Atmel

ага. теперь шпаргалку выброси и попробуй еще раз.

Eretik>> Еще раз. Чем военный кристалл, выполненный по 90 нм отличается от невоенного по тем же 90?
Серокой> ЕЩЁ раз. Нет кристаллов такой размерности топологии, способных выдержать военный диапазон температур.

человек похоже не в курсах что у военных свой диапазон допустимых температур )))

Kuznets> человек похоже не в курсах что у военных свой диапазон допустимых температур )))

Да знает он... Лет 5 назад, когда я начинал в этой микросхемной каше только вариться, его слушал, раскрыв рот. Точнее, читал на этом же форуме. Всё про тот же Эльбрус. Но с тех пор эти пять лет прошли, а Еретик говорит то же самое, а у меня прибавилось опыта. И рот я раскрываю уже для возражений.

Eretik>> Еще раз. Чем военный кристалл, выполненный по 90 нм отличается от невоенного по тем же 90?
Серокой> ЕЩЁ раз. Нет кристаллов такой размерности топологии, способных выдержать военный диапазон температур.
При таком ответе возражений нет.

Серокой>> Но сам кристалл, выполненный по 90 нм, просто физически не способен работать в военном диапазоне температур.
Kernel3> А разве сами кристаллы отличаются в военных и гражданских микросхемах?
Не отличаются. Никто не будет строить военный фаб. Во-всяком случае я как-то не слышал о специальных военных. А даже если бы и слышал, то России такой фаб не грозит в принципе.

Kernel3> Мне казалось, там исключительно в микросборке разница. По крайней мере, что касается микропроцессоров.
Серокой утверждает(видимо, не без оснований), что 90 нм не подходит именно из-за размерности. Т.е. лет через пять-семь, пао мере износа допотопных 130нм, военные могут остаться вообще без микросхем. Ну или будут на специальных FPGA ваять.

Kuznets> Я тебе ЧЕТКО сказал - все что прошло военную приемку то и подходит.
Этого ты только что придумал.

Kuznets> Тебе нужен список - ищи.
Мне не нужен список.

Kuznets> Условий прохождения военной приемки ты очевидно не только не знаешь но даже не хочешь понимать.
Условия прохождения военной приемки очень простые: баня, девочки и откат. Чего тут понимать или не понимать?

Серокой> 1. Потому что они не наши, а атмеловские. Тут ж как - заложился ты на 10 000 таких микросхем, а фабрика бац, и почему-то отказала. Может у неё линия занята, или очередной Джексон-Вейник. И никакого давления на них оказать нельзя, даже деньги там не особенно большие по сравнению с суммарными денежными потоками. Атмел и сам их пользует, зачем других-то пускать будет?
Дык и фабы не американские, а атмеловские. А Атмел, если мне память не брешеть - это АО. А собственника АО ищи-свищи, он вообще может в Китае находиться. И этого собственника интересует не национальная безопасность, а собственный карман. Конечно, для компании, базирующейся в США, Дж-Вэник - это аргумент, но не Атмелом единым. Да и степень автономии французского фаба непонятна - может он плевать хотел на Дж-Вэйника?

Понятно, что нам "нежно" прикрывают хайтек, те же композиты, полупроводники и т.д. Но гораздо легче перекрыть поставку оборудования для фабов, чем конечного продукта. Не очень понятно зачем огород городить - фабов нужно много и разных.Один фаб, перекупленный по слухам у АМД погоды не сделает. Вот флэш память мы покупать будем или сами производить?

Серокой> 2. Не знаю. В списке указан адрес:
Серокой> Atmel-Grenoble
Серокой> Avenue de Rochepleine BP-123,
Серокой> 38521 Saint-Egreve Cedex Fr
Да, здесь CCD.

Серокой> А я и поясняю, что разработка микросхемы полностью происходит в России, а изготовление кристалла - уже на западе. Корпусировать могут как там так и тут, это не так сложно.
Это понятно.

Серокой> Но бывает, что "чужая" фабрика меняет техпроцесс, и всё, остаёшься ни с чем. С гигабайтами теоретической топологии, точнее. Поэтому нужны в том числе свои фабрики.
А почему наша фабрика не может поменять техпроцесс?

Серокой> Потому что она "своя", ручная. Её кормят и поят за то, чтоб не меняла техпроцессы. Ну, по крайней мере неожиданно для разработчика.
Хмм, фабрика неожиданно для разработчиков ничего не меняет. Во всяком случае, нас уведомляют очень заблаговременнно.

А из ручной [гос.] фабрики получится дерьмо:
1. Единственная нормальная фабрика - это фабрика приносящая прибыль. Иначе это паразит.
2. На ваших заказах много не наработаешь(если я правильно понял). Значит, должен быть сторонний, гражданский рынок для фабрики.
3. Т.к. ваши заказы не определяют направление деятельности фаба, значит, фабрика на вас должна забить, а быть конкурентной на стороннем, гражданском рынке.
4. Но вы не даете ей забить на себя, "подкармливая" её. Это оригинальный способ бухнуть кучу денег в пропасть. И шикарное пространство для коррупции. Чистая экономика.

Sideeffect - консервировние технического отставания. Формально хайтек, в реальности черт знает что.

Да, и выхода из тупика я не вижу.
Вышеупомянутый сценарий с ручной фабрикой гарантирует ерунду.
Текущий сценарий по ряду соображений ( резкая смена техпроцесса, мифические закладки, недоверие к капиталистам, отсутствие контроля, отсутствие откатов ) не подходит тоже.
Третий сценарий, полномасштабное развитие хайтека у нас в стране, - это чистой воды маниловщина.
Короче, мои соболезнования, если я ничего не упустил.

Серокой> По нашим - не встречал. К моему сожалению.


404 Not Found

Kuznets> 404 Not Found
Kuznets> 404 Not Found

Ух, молодцы! Но это ж не список предприятий, об отсутствии которого я сожалел...

Kuznets>> 404 Not Found
Kuznets>> 404 Not Found
Серокой> Ух, молодцы! Но это ж не список предприятий, об отсутствии которого я сожалел...

Гы! У них набор команд от PICа. )

Серокой> чтоб если уж разрушилось, то не от первой залётной заряженной частицы.

===
Для проведения испытаний РНИИ"Электронстандарт" имеет:
установку УИ.НИМ-10-007 (Т = +55...+250 oС);
установку 12НИС-50-013 (Т = +50...+125 oС);
установку УНТИС-2 (Т = +60...+125 oС);
установку УНТМ/Т-2 (Т = +40...+125 oС);
статическую гамма установку ГОТ для оценки стойкости изделий к поглощенной дозе. Установка ГОТ с изотопом Cs137 обеспечивает облучение изделий гамма квантами с энергией 0,66 МэВ и мощностью дозы 200 Р/с. Активная зона установки имеет объем 3 литра;
импульсную рентгеновскую установку ВИРА-1,5 для определения уровня бессбойной работы и времени потери работоспособности изделий при импульсном облучении;
статическую установку ВИРУМ с изотопами Cf252, Pu238 и Pu239 для исследования возможности возникновения единичных сбоев и тиристорного эффекта в БИС при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства с активностью 150 Бк;
установку УИК-ЭВП-1-001М для дистанционного определения надежностных характеристик ИЭТ в условиях низкоинтенсивного ионизирующего излучения, электрических импульсов перенапряжения, повышенной температуры (25-150 oС) и различных электрических режимов;
установку СИК.ТПУ-80/200-027 для дистанционных испытаний микросхем в низкоинтенсивных радиационных полях под электрической нагрузкой при быстрой (<10с) смене температуры в рабочей камере от -60 до +125 oС;
комплекс установок для моделирования воздействия импульсного ионизирующего излучения на изделия электронной техники, состоящий из импульсной рентгеновской установки "Аргумент-300", неодимовых лазеров, дозиметрического поста "Аист-5" с термолюминесцентными детекторами ИС-7 и Саf2, измерительно-регистрирующей аппаратуры и поддерживаемый физико-математической Монте-Карловской моделью взаимодействия ионизирующих излучений со сложными слоистыми структурами "МОNSОL", расчетно-экспериментальными методиками испытаний и оценки стойкости ИЭТ;
установку ГИН-5000 для определения импульсной электрической прочности изделий при воздействии импульсов напряжения, обусловленных электромагнитными полями различной природы. Установка обеспечивает следующие характеристики: амплитуда импульса напряжения 160 В - 2 кВ (160 В - 15кВ), длительность импульса - 10-7с, 10-6с, 10-5с (10-4с, 10-3с, 10-2с), выходное сопротивление 75 Ом.
===

Серокой> это ж не список предприятий, об отсутствии которого я сожалел...

http://www.radiant.su/rus/catalog/?action=show-cat&category=38