Электронное оборудование ракет - БРЭО,часть XIV

-VMK-> но не е изследвана при [големи] температурни разлики между светодиодите.

Этого слова не знаю.
Я вообще твоего языка не знаю, но почему-то почти всё понимаю! ))
Но тут споткнулся.


-VMK-> При опит да включа UV_LEDs антипаралелно схемата стана неработоспособна (причината е неизвестна).

Антипараллельно - это как на моей левой картинке? (см. ниже)


-VMK-> Какви могат да бъдат причините, за работоспособност на моята схема? (висока степен на контрастност небе/земя? Или входа на ОУ да натоварва светодиода по такъв начин, че напрежението на входа на ОУ да зависи в по-голяма степен от фототока и да се променя плавно в известни граници, около прехода небе/земя?)

Нет, всё-таки, языка я не знаю, понял далеко не всё.

Да, контрастность высокая. Но, это пока недалеко от поверхности земли, которая в ультрафиолете очень чёрная. Думаю, на высоте в полкилометра контрастность может стать низкой из-за обратного рассеяния УФ. Вообще-то, я это могу даже проверить завтра экспериментально.

Если диоды достаточно одинаковые, то схема работать будет.
Не нравится мне эта схема тем, что если разброс параметров диодов большой или температура у них разная, схема может работать неправильно.
Для надёжного промышленного устройства такую схему применять нельзя, для любительского - можно.
Ещё одна гадость, которая может жизнь испортить - это если у одного из диодов большой ток утечки, то при низкой освещённости напряжение на нём может падать быстрее, чем на другом, даже если он смотрит вверх.
При антипараллельном включении утечка не повлияет.


-VMK-> Какъв е твоя съвет? Какво мога да изследвам? (при положение, че не разполагам с високоомен прибор (волтметър)) .

На правой картинке - способ измерить напряжение на диоде не нагружая его. Надо всего лишь отключить другой диод и подключить перемычку. А с выхода усилителя мерить напряжение обычным вольтметром.
(Ну и можно второй диод подключить антипараллельно первому, если интересно, но только усилитель минус не покажет.)


-VMK-> Например, планирам следния експеримент: подгрев на единия светодиод и да определя как влияе температурата на ъгъла при който сработва фотодатчика (при прехода небе/земя)... има ли смисъл?

Это надо тогда точно знать разницу в освещенности диодов, что трудно.
Лучше померить изменение напряжения на одном диоде от температуры не освещая диод. А фототок симулировать большим резистором, 100 или больше мегаом, подключенным к +5.
Так надёжнее.
Хотя, если аккуратно, наверное можно.

[големи] - большие

Serge77> Есть вопрос: ты писал "МОП-транзисторы требуют навыка в обращении". Это про какие? Из транзисторной схемы? Какой нужен навык?

МОП-транзисторы легко убить слабой статикой или сетевой наводкой.
Полевики с переходом менее чувствительны, но тоже убиваемы.
Силовые более тупы, так как у них большая ёмкость затвора (нанофарады).

Если всё делать совсем правильно, то нужно паяльник с заземлённым жалом, антистатический коврик на столе (тоже заземлённый), и заземлённый человек, который будет трогать транзисторы.
Противопоказаны паяльники с питанием "прямо от розетки", в которых нагреватель получает 220 вольт.
Лучше низковольтный через транс. В этом случае можно заземлить один из питающих паяльник проводов и на этом успокоиться (не заземляя жало).
Жало у паяльника иногда не контачит с остальным железом паяльника, тогда надо заземлять именно жало.
Следует учитывать, что паяльник с заземлённым жалом опасен при ковырянии в схеме под напряжением, надо об этом помнить.
Антистатический коврик можно сделать из упаковки от электроники.
Человека надо заземлять осторожно, обязательно через немаленький по мощности (МЛТ-1, например) резистор в несколько мегаом. Это чтоб не убило, если в руки фаза попадёт.

Если расслабленно, то достаточно большой антистатический коврик соединить с жалом паяльника (или питанием низковольтного). Плату и транзисторы класть на коврик, предварительно коснувшись его. При паянии руки тоже держать в контакте с ковриком.

Правило: сначала прикоснуться к земле или корпусу, потом к электронике.
Это же правило действует, когда даёшь (берёшь) микрухи другому человеку: сначала касаешься кожи этого человека, потом даёшь (берёшь) микрухи.

В какой схеме этот МОП? В транзисторной? Это самый первый возле светодиодов?

Serge77> В какой схеме этот МОП? В транзисторной? Это самый первый возле светодиодов?

У Брата-2 в последней схеме нарисован полевик с переходом.
А у меня склероз, не помню, кто такой КП303.

Ну вот, и тут засада. У меня паяльник от 220 и покупать новый ради датчика я не буду. А с готовой спаянной схемой тоже нужно обращаться в заземлённом скафандре?

Serge77> Есть вопрос: ты писал "МОП-транзисторы требуют навыка в обращении". Это про какие? Из транзисторной схемы? Какой нужен навык?
Serge77> А как ты сравнивал чувствительность для разных схем?
МОП и МДП, это MOSFЕТ – это полевые транзисторы, с изолированным затвором …, которые боятся статики. Покрутили в руках этот MOSFЕТ, и можете выбрасывать. Нужен низковольтный паяльник с заземлением, браслет на руку и к заземлению, к поверхности стола тоже требование, но, как правило, хватает и первых двух условий.
То, что у меня, полевой с управляющим p-n переходом и, в частности КП303, каналом n-типа, или JFET, у которых несколько меньшее входное сопротивление, они не боятся статики, имеют начальный ток стока, работают в режиме обеднения, но мужикам они не нравятся, вот только почему, скрывают.
Чувствительность проверял методом сравнения со схемой на ОУ, обе схемы собраны на одном макете, и в тех условиях, когда на ОУ датчик уже не работал, транзисторный продолжал работать, я бы дал субъективную оценку большей чувствительности, примерно раза в 3, а может и 10, думаю, кто опробует данную схему, забудет про ОУ.
Но, конечно, построю модуль, проведу настоящие испытания, а вдруг нюанс, верить нельзя даже себе!

Serge77> Ну вот, и тут засада. У меня паяльник от 220 и покупать новый ради датчика я не буду. А с готовой спаянной схемой тоже нужно обращаться в заземлённом скафандре?
Ну, вот пока писал, Xan все объяснил. Для моей схемы новый паяльник покупать не надо, и обращаться со схемой можно в трусах. Кстати и полевой силовой, без ума, убивается легко. Поэтому его и не хочу, да и открыть его при 2В питания невозможно, а при большем, и без него проживем.

Народ, не нужно меня путать рассказами про ФЕТы и переходы. Скажите просто: вот эти транзисторы можно паять без скафандра:
2SK246, BF245, MMBF4392 ?

Это замена КП303, как подсказал Non-conformist.

И вот этот: BC856 (вместо КТ3107) ?

Вместо полевика я буду ставить тиристор.

Serge77> Ну вот, и тут засада. У меня паяльник от 220 и покупать новый ради датчика я не буду.

Достаточно на жало проволоку накрутить, а на другой конец провода крокодил и им за пакет от электроники ущипнуть.
Если теперь не забывать сначала касаться пакета, а потом всего остального, проблем не будет.

Serge77> А с готовой спаянной схемой тоже нужно обращаться в заземлённом скафандре?

Там светодиоды защищают транзистор.

Брат-2> и в тех условиях, когда на ОУ датчик уже не работал...

Какие это были условия? Как выглядело "не работал"? Что именно происходило?

Serge77> Скажите просто: вот эти транзисторы можно паять без скафандра:

Всё можно. Это ж не ТБ, физического вреда здоровью не будет.
Но нервы могут испортиться!!!

Жало-провод-пакет очень сильно уменьшают нервность работы!

Xan> Это ж не ТБ, физического вреда здоровью не будет.
Xan> Но нервы могут испортиться!!!

Так это ж прямой физический вред! Когда спаял и не работает, и не можешь узнать - почему не работает, вред очень большой.

-VMK->> но не е изследвана при [големи] температурни разлики между светодиодите.
Xan> Этого слова не знаю.
Serge77: [големи] - большие
Да.

Xan> Я вообще твоего языка не знаю, но почему-то почти всё понимаю! ))
Български и Руски са сходни в известна степен. Моя руски на разбираемост при четене е >99%. Но граматиката - Всички там падежи, склонения и окончания - всичко е забравено. Т.е. Я твоего языка знаю, и всё понимаю!

Xan> Антипараллельно - это как на моей левой картинке? (см. ниже)
Не.
Точно както е на схемата на Serge77: http://serge77.rocketworkshop.net/fotosens2/Image39.gif

Имах предположение, че светодиод 1 се шунтира от светодиод 2 и обратно - по тази причина напрежението на сдвоените-антипаралелно светодиоди се променя незначително и ОУ не може да почувства такава малка разлика. (само предположение, не е правено допълнително изследване)

Xan> Если диоды достаточно одинаковые, то схема работать будет.
Да, схемата работи, но с ОУ: MCP601 или MCP6041 (Input Bias Current 1pA); с други ОУ не са правени тестове.
С LM311 не работи. (тествано)

Xan> Не нравится мне эта схема тем, что если разброс параметров диодов большой или температура у них разная, схема может работать неправильно.
Моето мнение е еднакво с твоето.

Xan> Для надёжного промышленного устройства такую схему применять нельзя
Аха - точно!

Xan> Ещё одна гадость, которая может жизнь испортить - это если у одного из диодов большой ток утечки, то при низкой освещённости напряжение на нём может падать быстрее, чем на другом, даже если он смотрит вверх.
Такъв случай в практиката не е регистриран до момента. Практически схемата работи щатно.

Xan> При антипараллельном включении утечка не повлияет.
Ще проведа нов опит за антипаралелно включване на UV_LEDs - по схемата на Serge77. Възможно е, при нов опит да заработи...

Xan> На правой картинке - способ измерить напряжение...
Интересно. Ще пробвам.

Xan> Лучше померить изменение напряжения на одном диоде от температуры не освещая диод. А фототок симулировать большим резистором, 100 или больше мегаом, подключенным к +5.
Xan> Так надёжнее.
Xan> Хотя, если аккуратно, наверное можно.

В моите условия - невъзможно за провеждане на подобен тест. И резистор 100МОм - екзотика

Благодаря за съвета! Ще проведа нови експерименти с UV_LEDs, MCP601/MPC6041 и възможностите, които предлага наличния "hardware" ...

Serge77> Народ, не нужно меня путать рассказами про ФЕТы и переходы. Скажите просто: вот эти транзисторы можно паять без скафандра: 2SK246, BF245, MMBF4392 ?
Делай транзисторную схему Брата, и не морочь себе голову статикой. У выводных JFET'ов перед пайкой просто обматываешь по периметру четыре ноги голой жилкой многожильного монтажного провода (если три в ряд - то восьмеркой, чтобы все ноги надежно закоротить между собой). И паяешь обычным китайским паяльником на 220 В безо всяких ковриков, браслетов и прочей мутоты.

Если надумаешь пробовать MMBF (SOT-23), то купи водосмываемый флюс (он токопроводен). Перед пайкой капешь его на транзистор, тем самым закорачивая по статике все три вывода в один - и паяешь тем же паяльником, не перегревая. После распайки всех компонентов идешь к своей УЗ-ванне и моешь плату (из-под SOT и подобного простой промывкой качественно удалить флюс не получится). Главная проблема в этом случае - не забыть удалить проволоку (флюс) перед включением питания.

Non-conformist> обматываешь по периметру четыре ноги

Почему четыре? Разве там не три ноги?

Транзисторную буду делать, нужно только за деталями выбраться.

Serge77> И вот этот: BC856 (вместо КТ3107) ?
Это "современный КТ315", если можно так выразиться. Паяй чем угодно, только чтобы ноги от перегрева не отвалились.

> Вместо полевика я буду ставить тиристор.
Провел эспресс-анализ тиристорного рынка моих поставщиков. Резюме: средний тиристор - это большие напряжения при относительно малых токах. А нужно ровно наоборот. У дарлингтонов в этом отношении заметный перекос в нужную сторону, но их мало. Имхо надо доработать схему таким образом, чтобы можно было использовать малогабаритный сильноточный МОСФЕТ - они дешевы, и выбор огромный, например (это одни из многих):

- IRFR014PBF N-канальный ПТ (MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK - Vishay IR Surface Mount N-Channel 60V 7.7A 200 mOhm @ 4.6A, 10V 300pF @ 25V 2.5W Tube 11nC @ 10V DPak, SC-63, TO-252 (2 leads+tab) - 3,77 грн (Имрад)

- IRFR120N N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=9.4A@T=25C, Id=6.6A@T=100C, Rds=0.21 R, P=48W, -55 to +175C) - 3,27 грн (Имрад)

DPAK - это ОЧЕНЬ небольшой и аккуратный корпус, как для таких параметров.

Non-conformist>> обматываешь по периметру четыре ноги
Serge77> Почему четыре? Разве там не три ноги?

У КП303 четвертая нога - корпус, паяется к общему проводу.

Non-conformist> Провел эспресс-анализ тиристорного рынка моих поставщиков. Резюме: средний тиристор - это большие напряжения при относительно малых токах. А нужно ровно наоборот.

У моего MAC9M Gate Trigger Voltage 0.7-1.5 В. Это много? Столько схема не даст?

Serge77> У моего MAC9M Gate Trigger Voltage 0.7-1.5 В. Это много? Столько схема не даст?
Ну почему не даст, если автор пишет, что даст... Мне не нравится твой тиристор, потому что он в пять раз больше по объему, в два раза дороже по деньгам и в десять раз избыточнее по напряжению. Если он у тебя уже есть, то ставь его, имхо все будет работать.

***
А включается тиристор импульсом именно ТОКА (коротеньким, буквально волосиной), а не голым напряжением-потенциалом, как МОСФЕТ. Уж не знаю, зачем они "gate voltage" там пишут. Может я чего не понимаю, а может просто потому что цифры маленькие - типа смотри, какие мы крутые. А между тем, десять МИЛЛИампер минимум - положи, и ни чирикай. Хотя и на очень короткое время - повторюсь. Которое в ДШ, кстати, почему-то не указано вообще, а ведь импульсный режим управления триаками - основной; в этом имхо и состоит вся идея - в экономии мощности управления...

Non-conformist>> обматываешь по периметру четыре ноги
Serge77> Почему четыре? Разве там не три ноги?
Транзисторы КП303 с четырьмя ногами это действительно из сундука бабушки, современные, как и аналоги в пластмассовом корпусе с тремя ногами. Не бойтесь, они не кусаются и не брыкаются, ноги можно и не спутывать! За свою жизнь и без специальных мер ни разу не пробил данный транзистор, а паять лучше, используя обыкновенную, веками проверенную, канифоль.

Non-conformist> ... Уж не знаю, зачем они "gate voltage" там пишут. Может я чего не понимаю, а может просто потому что цифры маленькие - типа смотри, какие мы крутые.
Виноват, глупость сморозил. У кремниевых структур, как бы это сказать, "пороговое напряжение" - напряжение, при котором начинают открываться pnp-npn транзисторы, равно 0,6 В. У германиевых - около 0,2 В, если не ошибаюсь.

Так что имхо в ДШ написано (в переводе на человеческий язык), что "чтобы клацнуть нашим тиристором, потребуется несколько большее напряжение на УЭ, чем то, при котором начинают открываться кремиевые транзисторы; а напряжение это может создать импульс тока УЭ никак не менее 10 мА".

Ну вроде всё понятно. Буду делать.
Нарисую схему, выложу на проверку.

Serge77> У моего MAC9M Gate Trigger Voltage 0.7-1.5 В. Это много? Столько схема не даст?
Мужики, в мою схему ставьте все, что угодно, в том числе и полевик на выходе. При замене деталей имейте немного совести , уж хоть как-то подправляйте схему (для полевика к примеру), выбирая номиналы резисторов, ориентируйтесь на напряжение питания, и конечно, первоначально, соберите схему на макете, проверьте работоспособность, а то наставите экзотики . В настройке схема не нуждается.
Скоро покажу пример, как собрать модуль, дайте закончить.

Xan> На правой картинке - способ измерить напряжение на диоде не нагружая его. Надо всего лишь отключить другой диод и подключить перемычку. А с выхода усилителя мерить напряжение обычным вольтметром.
Xan> (Ну и можно второй диод подключить антипараллельно первому, если интересно, но только усилитель минус не покажет.)
Xan! Ты такой умный, но уже второй. Первый умник - был я! Ты думаешь, я не знал величину Э.Д.С. фотодиодов, говоря, что она больше 10В, но вот именно работая с повторителем, анализируя напряжение порога и отсечки полевиков, я и стал плести бред. Попробуй сам, и убедишься в этом.
Думаю, что при работе фотодиода на свободный вход ОУ надо рассматривать процесс не с точки зрения Э.Д.С., а фотодиод, как элемент с переменным сопротивлением, то есть все завязано через входной ток ОУ, который может быть как втекающим, так и вытекающим, все зависит от конкретного типа ОУ . Именно поэтому, у -VMK- в его схеме была иная, по сравнению с моей на LM, полярность включения светодиодов. С полевиками дело другое – это, конечно, Э.Д.С., но здесь тоже нюанс.